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半導体発光素子

文献类型:专利

作者白石 誠司; 浮田 昌一
发表日期1995-04-25
专利号JP1995111368A
著作权人SONY CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子
英文摘要(修正有) 【目的】 室温で連続発振が可能な短波長半導体発光素子を実現化する。 【構成】 II-VI族半導体発光素子の活性層が、(Zn1-x-y Mgx Cdy)Seで、0
公开日期1995-04-25
申请日期1993-10-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73745]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
白石 誠司,浮田 昌一. 半導体発光素子. JP1995111368A. 1995-04-25.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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