半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 幸江; 石川 正行; 斎藤 真司 |
| 发表日期 | 2001-08-17 |
| 专利号 | JP3222652B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 注入した電流を効果的に狭窄し得る電流狭窄構造を実現することができ、動作電圧が低く、高信頼性,高発光効率を有するワイドギャップII-VI族化合物半導体による半導体レーザを提供すること。 【構成】 p-GaAs基板11上に成長形成されたIn又はGaを含むバッファ層12〜15と、バッファ層12〜15上に積層形成されたp-ZnSSeクラッド層16,アンドープCdZnSe多重量子井戸活性層18及びn-ZnSSeクラッド層20からなるダブルヘテロ構造部とを備えた半導体レーザにおいて、基板11の表面の一部に(100)面から[011]方向に15°傾斜させた面を形成し、傾斜させた面上のpクラッド層16のキャリア濃度を(100)面上のpクラッド層16のそれよりも大きくしたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-10-29 |
| 申请日期 | 1993-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73754]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 幸江,石川 正行,斎藤 真司. 半導体発光装置. JP3222652B2. 2001-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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