半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 壮謙; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244062A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 クラックが少なく結晶性が良好でかつ確実に電流狭窄を行うことができる電流ブロック層を備えた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1上にn-コンタクト層2、n-クラッド層3、MQW活性層4およびp-第1クラッド層5が順に形成される。p-第1クラッド層5上にはストライプ状開口部20を有するn-電流ブロック層6が形成される。ストライプ状開口部20近傍における電流ブロック層6の一定幅の領域6aの厚さt1は電流ブロック層6の他の領域6bの厚さt2よりも大きい。n-電流ブロック層6上およびストライプ状開口部20内のp-第1クラッド層5上にはp-第2クラッド層7およびp-コンタクト層8が順に形成される。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73759]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 壮謙,林 伸彦. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000244062A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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