半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 太田 洋一郎 |
| 发表日期 | 1993-12-10 |
| 专利号 | JP1993327132A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 モニタ用フォトダイオードの表面電極からの反射光が半導体レーザダイオードに入射することによるレーザ特性の変動を抑制する。 【構成】 モニタ用フォトダイオード4の半導体レーザダイオード1の出射光15bが入射される面上に形成された電極5をガラス微粒子の焼結体からなる被覆層20で覆い、これに照射されるレーザ光を乱反射させるようにした。 【効果】 半導体レーザダイオードに対する戻り光を大幅に低減でき、半導体レーザの駆動を安定にできる。 |
| 公开日期 | 1993-12-10 |
| 申请日期 | 1992-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73769]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 洋一郎. 半導体レーザ装置. JP1993327132A. 1993-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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