半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 保明 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068219A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 リーク電流を従来の装置に比べ低減でき、そのため、電流と光出力の関係を低歪化でき、かつ装置の温度特性が良好となる半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 本半導体レーザ装置は、p型InP基板1上に形成された、p型InPクラッド層2、MQW活性層3及びn型InPクラッド層4を有するメサストライプ形状の積層構造体16aと、積層構造体16aの長側面に接して基板1上に形成された電流ブロック層17aと、積層構造体16aに接し、電流ブロック層17a上に延在するn型InPクラッド層8とを備え、電流ブロック層17aが、p型InP埋込層5、7、n型InP埋込層9、10、及び電子をトラップするFeを低濃度に含有した埋込層11を有し、かつ、積層構造体16aの長辺方向に垂直な断面において、埋込層11が埋込層9、10に囲まれ、この埋込層9、10が上記埋込層5、7に囲まれていることを特徴とするものである。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73778]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 保明. 半導体レーザ装置. JP1999068219A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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