半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阪田 康隆 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3241002B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 DC-PBH構造で、活性層とは独立に最適化可能な再結合層を設置して、高温動作·高出力動作に耐えられる半導体レーザとその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上のpnpnサイリスタ構造からなる電流ブロック層を備えた埋め込み型(BH:buried hetero)の半導体レーザであって、光導波路内に上下のクラッド層に挟まれた活性層を有し、かつ前記電流ブロック層に挿入されるDC-PBH (Double-channel planar-buried-hetero)構造を、上記活性層とは異なる設計·製造工程により形成し、上記活性層とは異なる組成と層構造を持つ再結合層を持たせたことを特徴とする半導体レーザとその製造方法を提供する。 |
| 公开日期 | 2001-12-25 |
| 申请日期 | 1998-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73781]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阪田 康隆. 半導体レーザの製造方法. JP3241002B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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