半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 藪▲崎▼ 慶一; 大久保 典雄 |
| 发表日期 | 2006-09-28 |
| 专利号 | JP2006261706A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体装置の加工精度および生産効率を高めること。 【解決手段】半導体レーザ装置は、半導体基板2の上面に、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6が生成されている。また、上側クラッド層5、コンタクト層9、絶縁膜6は、エッチングによってリッジ部12をなしている。さらに、半導体基板2の下面に負電極1が生成され、多層膜基板31の上面には導電体層7が生成されている。また、導電体層7は、リッジ部12の側面において少なくとも150nmの厚みを有し、リッジ部12は砂時計形の断面形状を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-09-28 |
| 申请日期 | 2006-06-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藪▲崎▼ 慶一,大久保 典雄. 半導体装置. JP2006261706A. 2006-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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