発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 海野 恒弘; 柴田 真佐知; 渡辺 真敏; 高橋 健; 隈 彰二 |
| 发表日期 | 1996-06-25 |
| 专利号 | JP1996167735A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】チッ素化合物系の発光ダイオードにおいて、良質の活性層を成長することができるようにして、超高輝度で紫外、青色、緑色の光を出せるようにする。 【構成】サファイア基板7上にAlNのバッファ層6を形成し、その上にn型InGaN電流分散層5、n型InGaNクラッド層4、InGaN活性層3、p型InGaNクラッド層2、p型InGaN電流拡散層1を順次形成する。活性層3のGaN混晶比は0.6とする。電流拡散層1、5のGaN混晶比を0.7として、活性層と電流拡散層との混晶比差を0.2以下とする。このように電流拡散層の組成を活性層に近い組成にすることにより、良質の活性層を成長できる。 |
| 公开日期 | 1996-06-25 |
| 申请日期 | 1994-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73792]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海野 恒弘,柴田 真佐知,渡辺 真敏,等. 発光素子. JP1996167735A. 1996-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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