半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 築地 直樹 |
| 发表日期 | 1994-03-18 |
| 专利号 | JP1994077600A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リーク電流が減少した安定した特性の半導体レーザ素子が歩留り良く得られ、また、工程が簡略化した半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 p型InP基板21面上にメサストライプを形成し、前記メサストライプの側面に、n型電流狭窄層27をその上面がメサストライプ上面よりも下に位置するように形成し、次いで、p型電流狭窄層28をその上面がメサストライプ上面よりも上に位置するように形成し、次いで、メサストライプ上面にp型InPクラッド層22、In1-x Gax Asy P1-y 活性層23、n型InPクラッド層24を順次積層する。 |
| 公开日期 | 1994-03-18 |
| 申请日期 | 1992-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 築地 直樹. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994077600A. 1994-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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