半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 篤志; 大野 啓; 左文字 克哉 |
| 发表日期 | 2008-11-13 |
| 专利号 | JP2008277492A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】工程中の電極の剥がれを防止できる構造を備え、初期特性及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。 【課題を解決するための手段】半導体発光素子は、基板上に、下から順に第1導電型のクラッド層、活性層、及び第2導電型のクラッド層が形成され、第2導電型のクラッド層を少なくとも含む層にリッジ形状のストライプ構造を備える。ストライプ構造の側面及び底面に形成された誘電体膜と、ストライプ構造の上面に形成された導電膜よりなるオーミック電極とを備えている。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2008-11-13 |
| 申请日期 | 2007-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73813]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 篤志,大野 啓,左文字 克哉. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2008277492A. 2008-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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