光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 2005-12-15 |
| 专利号 | JP2005347665A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ導波路構造を有する光半導体装置及びその製造方法に関し、寄生容量の低減と横高次モード発振の抑制とを同時に実現可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】下部クラッド層12と、キャリアを再結合させる活性層を含む光導波路層14,16,18と、上部クラッド層20と、コンタクト層22とを有し、上部クラッド層20は、コンタクト層22に接し、第1の幅を有する第1のメサ部と、光導波路層18に接し、第1の幅よりも広い第2の幅を有する第2のメサ部とを有するメサストライプ形状を有し、第1の幅、第2の幅及び第1のメサ部の厚さが、横高次モードが発振しないように設定されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-12-15 |
| 申请日期 | 2004-06-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73816]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 光半導体装置及びその製造方法. JP2005347665A. 2005-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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