半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 西片 一昭 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154846A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡易な素子構造であって温度特性に優れ、しかも製造の容易な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層を挟む一対のクラッド層の一方を該活性層に直接接着させたクラッド層とし、このクラッド層と活性層との接着界面のうち発光領域部分以外を電流阻止構造をなすように、n-InGaP層とi-InP層とを直接接着した接着界面として実現し、またクラッド層における前記発光領域部分上の電流注入経路をなす領域の両側に溝を形成し、低屈折率領域をなすチャネルを形成した構造とする。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1996-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73827]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,西片 一昭. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1998154846A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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