半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 勝山 造 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021894A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、室温での発振波長が680[nm]以上で高温においても安定してレーザ動作が行える半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 各量子井戸層5,7,9の材料はGaの組成比xが0.43のGa0.43In0.57Pからなり、各層の厚さは結晶欠陥を生じない薄さになっている。障壁層6,8はこれら各量子井戸層5,7,9を隔てており、障壁層6,8および各量子井戸層5,7,9は活性層を構成している。光閉込め層4,10はAlGaInPからなり、この活性層を挟んでいる。この活性層および各光閉込め層4,10からなる光導波路はp,nクラッド層に挟まれてGaAs基板上に形成されており、レーザ光の発振波長は室温において680nm以上である。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73832]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 勝山 造. 半導体レーザ. JP1993021894A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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