半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 峯本 尚; 園田 信雄 |
| 发表日期 | 1995-07-14 |
| 专利号 | JP1995176821A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族半導体レーザ装置の長寿命化及び信頼性の向上を図る。 【構成】 不活性ガスを封入した密閉容器17の内部17aに、半導体レーザチップ11と共にゲッタリングヒータ16を設け、組み立て完了後にゲッタリングヒータ16に所定の電流を通電し、密閉容器内部17aの活性不純物ガスとゲッタリングヒータ16の材料とを反応させ、密閉容器内部17aから不純物ガスを除去する。 |
| 公开日期 | 1995-07-14 |
| 申请日期 | 1993-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73834]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 峯本 尚,園田 信雄. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1995176821A. 1995-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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