半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 豊中 隆司; 佐川 みすず; 平本 清久; 篠田 和典; 野本 悦子 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148671A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ導波路型半導体レーザにおいて、光学的破壊レベルを増大させるべく光ビーム径を大きくした場合でも、高い光出力において安定な単一横モードで発振する半導体レーザを実現する。 【解決手段】光を発生する活性層4を含むダブルヘテロ構造と、周囲よりも屈折率が高く、光を基板に平行な方向に対し閉じ込めるためのストライプ状の光導波路層6と、その上部に、キャリアを活性層4に導くリッジ部と、リッジ部の側面上に埋め込まれた電流ブロック層10を含むリッジ導波路型半導体レーザにおいて、一部または全部の光導波路層6の幅が、リッジ部の光導波路層6に接する部分の幅より広い。また、基板1の極性がn型であり、リッジの側面は(111)A面及び(111)B面からなる。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73837]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊中 隆司,佐川 みすず,平本 清久,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1997148671A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。