半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 裕治; 渥美 欣也; 安部 克則; 松下 規由起 |
| 发表日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP1996046285A |
| 著作权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 ストライプ幅が100μm以上の大出力型の半導体レーザ素子において、端面コートのない状態より高光出力を得る。 【構成】 活性層4における発光領域のストライプ幅が100μm以上で、光の出射方向に対する前端面および後端面に、単層または多層の光学薄膜が設けられてたものであって、前端面の反射率を5%〜25%、後端面の反射率を90〜100%とした。 |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 申请日期 | 1994-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73842]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 裕治,渥美 欣也,安部 克則,等. 半導体レーザ素子. JP1996046285A. 1996-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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