半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 岡 聡彦; 河野 敏弘; 芳賀 徹 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209563A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザを比較的に容易な製造方法により低容量化する。 【解決手段】p-InP第一埋め込み層4,n-InP第一埋め込み層5,p-InP第二埋め込み層6、及びn-InP第二埋め込み層7で形成されるpnpn電流ブロック層の各pn接合領域8の不純物濃度を、電流ブロック層のpn接合から離れた領域に比べ低濃度とし、かつ接合界面に近づくにつれ更に低濃度にする。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73880]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦,河野 敏弘,芳賀 徹. 半導体レーザ. JP1998209563A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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