半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 深野 秀樹 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321960A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 半導体発光素子の電流注入の非効率性及び量子効率の低下を解消できる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 セパレートコンファインメントヘテロ構造層(SCH層)11,12中に半導体薄層11a,12aを挿入し、半導体薄層12aは価電子帯不連続が正孔に対し障壁とならない、伝導帯不連続が電子に対し障壁となる正の値を有し、半導体薄層11aは伝導帯不連続が電子に対し障壁とならない、価電子帯不連続が正孔に対し障壁となる正の値を有するようなバンド構造が形成され、また、p形クラッド層側のSCH層12とクラッド層14間の価電子帯不連続も正孔に対し障壁とならない、クラッド層14で構成され、また、n形クラッド層側のSCH層11とクラッド層13間の伝導帯不連続も電子に対し障壁とならない、クラッド層13で構成される。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73909]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深野 秀樹. 半導体発光素子. JP1998321960A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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