半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 納富 雅也; 浅井 裕充; 吉國 裕三 |
| 发表日期 | 1996-04-02 |
| 专利号 | JP1996088440A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸中に形成される量子準位間の遷移を用いてレーザ発振を実現することによって、通信波長帯でのレーザ発振が可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レーザ装置は、第1バリア層のエネルギーが量子井戸層内の第1量子準位のエネルギーより下に位置し、第2バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーと第2量子準位のエネルギーとの間に位置し、第3バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、第4バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、さらに第5バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーより下に位置することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 申请日期 | 1994-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73911]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 納富 雅也,浅井 裕充,吉國 裕三. 半導体レーザ装置. JP1996088440A. 1996-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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