半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112592A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】メサ部形成後の第二クラッド層の寸法精度を高める。 【構成】第二クラッド層として下部第二クラッド層,GaAsとAlX Ga1-x Asからなる多重量子井戸構造を有するエッチングストップ層,上部第二クラッド層の順に積層した後、沃素系のエッチング液を用い、GaAsとAlX Ga1-x Asのエッチング速度の差を利用して、エッチングを確実に下部第二クラッド層で停止させることにより、第二クラッド層の厚さを高精度に制御する。また、多重量子井戸構造のエッチングストップ層は、多重量子障壁層の役割も兼備するので、活性層とクラッド層の障壁を高くし、電流の閉じ込めを強めることができる。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994112592A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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