半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 北村 光弘; 岩田 普 |
| 发表日期 | 1997-04-04 |
| 专利号 | JP1997092926A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋込構造の半導体レーザにおける漏れ電流と、素子抵抗によって素子の高温動作特性と高光出力動作特性が劣化される。 【解決手段】 バッファ層2、活性層3、クラッド層4を積層してなる埋込構造の半導体レーザにおいて、活性層3の両脇にZnCdSeからなる電流ブロック層6が形成され、かつ活性層3上には活性層よりも幅寸法の大きな第2クラッド層7と半導体コンタクト層8が形成される。電流ブロック層6により漏れ電流が有効に低減されるとともに、コンタクト層8によって素子の直列抵抗が低減され、十分高い電流ブロック機能を保持することが可能となり、高温動作特性、高光出力動作特性を実現する。 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 申请日期 | 1995-09-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73924]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 光弘,岩田 普. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997092926A. 1997-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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