半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細羽 弘之; 近藤 雅文; 幡 俊雄; 兼岩 進治; 大林 健; ▲吉▼田 智彦; 須山 尚宏; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1993-04-16 |
| 专利号 | JP1993095159A |
| 著作权人 | シヤープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光吸収層および電流阻止層に電流狭窄機構となる二重ストライプ溝を形成することにより,漏れ電流が低減した効率の良い屈折率導波構造を有し,安定した基本横モードで発振する半導体レーザ素子を得る。 【構成】 第1の結晶成長工程により,半導体基板101上に,下部クラッド層102,活性層103,上部第1クラッド層104,および光吸収層105を順次成長させる。光吸収層105に第1のストライプ溝を形成する。第2の結晶成長工程により,電流阻止層107などを順次成長させる。電流阻止層107に第2のストライプ溝を形成する。第3の結晶成長工程により,上部第2クラッド層109およびコンタクト層110を順次成長させる。 |
| 公开日期 | 1993-04-16 |
| 申请日期 | 1991-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73927]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シヤープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,近藤 雅文,幡 俊雄,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1993095159A. 1993-04-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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