半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 内田 憲治; 中塚 慎一; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-06-14 |
| 专利号 | JP1994169131A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】レ-ザビ-ムプリンタ等の光源として利用するレーザビームの水平横モ-ド形状及び焦点位置を可変制御できる半導体レ-ザ素子を実現する。 【構成】第一の導電型である第1のクラッド層2、活性層3、第二の導電型である第2のクラッド層4から構成され、上記第2のクラッド層にリッジストライプ構造を備えた半導体レ-ザ素子において、上記リッジストライプ構造が選択的に埋め込まれた領域と露出した領域とから構成され、共振器面近傍領の上記リッジストライプ構造が露出した領域の結晶面上に絶縁膜6を介して電極14が形成された電界制御部と、上記リッジストライプ構造の選択的に埋め込まれた領域の結晶面上に形成された光利得を得るための電流注入電極13とが断路して形成される。 【効果】半導体レ-ザの焦点位置や水平横モ-ドのビ-ム形状を電極14の電圧にによる電界制御により可能となる。 |
| 公开日期 | 1994-06-14 |
| 申请日期 | 1992-12-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,中塚 慎一,矢野 振一郎. 半導体レーザ素子. JP1994169131A. 1994-06-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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