半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福永 秀樹; 布施 マリオ; 瀬古 保次; 中山 秀生; 植木 伸明; 乙間 広己 |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078775A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 漏れ電流の小さい埋め込み型半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 半導体基板1上にバッファ層2、第一クラッド層3、量子井戸活性層4、第二クラッド層5、中間層6、コンタクト層7を順次積層し、第一の不純物導入により第一と第二のクラッド層3と5、及び量子井戸活性層4の間の相互拡散により混晶化領域を形成し、非混晶化領域を活性領域として混晶化領域に埋め込んだ半導体レーザ装置において、コンタクト層7を除いた領域の中間層6上から第一の不純物を導入して混晶化領域を形成し、コンタクト層7の下部に活性領域を形成する。コンククト層7上から、その下の中間層6と第二クラッド層5の間で混晶化が生じた領域に達するまで第二の不純物を導入して生じた混晶化領域に第二の不純物を拡散してp-n接合を形成する。この接合のターンオン電圧は量子井戸活性層4のターンオン電圧よりも高い。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73963]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 秀樹,布施 マリオ,瀬古 保次,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1996078775A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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