半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永井 豊; 島 顕洋 |
| 发表日期 | 1996-04-30 |
| 专利号 | JP1996111560A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 量子井戸構造層へ不純物を注入し、無秩序化して窓構造を形成する際、結晶欠陥の発生を少なくするため不純物を注入する加速電圧を低くすることができるようにする。 【構成】 量子井戸構造層上に形成する上クラッド層を、第1上クラッド層と第2上クラッド層とからなるように構成し、量子井戸構造層に不純物を注入する際、第1上クラッド層のみを介して注入することができるようにする。 |
| 公开日期 | 1996-04-30 |
| 申请日期 | 1994-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73964]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永井 豊,島 顕洋. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1996111560A. 1996-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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