半導体レーザー素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷 健太郎; 菅 康夫 |
| 发表日期 | 2000-02-08 |
| 专利号 | JP2000040854A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 複数のレーザー光を生じる半導体レーザー素子のサイズを小さくすることを課題とする。 【解決手段】 第1導電型の第1クラッド層、第1導電型の第1活性層、第2導電型の第2クラッド層をこの順で積層した第1半導体レーザーと、第2導電型の第3クラッド層、第2導電型の第2活性層、第1導電型の第4クラッド層をこの順で積層した第2半導体レーザーからなり、第2クラッド層が、厚さ方向に一部又は全体を除去したリッジ型のストライプ状の形状を有し、第2半導体レーザーがリッジ型のストライプの少なくとも片方の側面に接して位置することを特徴とする半導体レーザー素子により上記課題を解決する。 |
| 公开日期 | 2000-02-08 |
| 申请日期 | 1998-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷 健太郎,菅 康夫. 半導体レーザー素子及びその製造方法. JP2000040854A. 2000-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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