半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 熊渕 康仁; 木戸口 勲; 足立 秀人; 粂 雅博; 石橋 明彦 |
| 发表日期 | 1999-08-10 |
| 专利号 | JP1999220223A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型SiC基板101上に、n型GaN層102、n型AlGaNクラッド層103n、n型GaN型光ガイド層104n、InGaN量子井戸活性層105、p型GaN光ガイド層104p、p型AlGaNクラッド層103p、p型GaNコンタクト層105が順次形成されている。さらに、p型光ガイド層104p中には、InGaN可飽和吸収層200が形成されている。この構造では、可飽和吸収層のドーピングレベルを5×1017cm-3にしている。これによりキャリアの寿命を低減でき、安定した自励発振特性が得られる。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1996-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73974]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊渕 康仁,木戸口 勲,足立 秀人,等. 半導体発光素子. JP1999220223A. 1999-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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