半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 上野 芳康; 松本 卓 |
| 发表日期 | 1995-07-14 |
| 专利号 | JP1995176828A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 緑青色II-VI族半導体から基本横モード発振光を取り出す。 【構成】 p型ZnMgSSeクラッド層5にストライプ状リッジを形成した後、リッジ外部にn型Six Ge1 - x 層6を形成する。該Six Ge1 - x 層の構成原子はIV族なので、隣接する該ZnMgSSeクラッド層5に相互拡散してもその伝導型を変えない。従って、該クラッド層の伝導型反転による無効電流の発生を抑えることができる。 |
| 公开日期 | 1995-07-14 |
| 申请日期 | 1993-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73977]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野 芳康,松本 卓. 半導体レーザ. JP1995176828A. 1995-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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