半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 嘉伸; 中川 清和; 宮尾 正信 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256158A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 SiGeからなる発光素子又は受光素子の発光効率又は受光感度を向上すること。 【解決手段】 SiGe混晶半導体層の活性層をSiのクラッド層で挟んだ積層構造を、当該積層面内に引っ張り歪を与えるように構成した。例えば、p型Si(001)基板13の裏面に酸化膜を形成して基板結晶の格子定数をバルクのSi結晶より大きくし、次に基板13の表面上にSi1-xGex14、n型Si層15、n型Ge層16を基板結晶に擬似的に格子整合させて積層させて半導体光素子を構成した。これにより、活性層たるSi1-xGex層14の結晶はバルクのSi結晶より大きくなるため、Si-Ge結合に引っ張り歪が加わり、その結果、当該結合における電子·正孔直接再結合確率が上昇する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73995]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 嘉伸,中川 清和,宮尾 正信. 半導体装置及びその製造方法. JP1998256158A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。