半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 国井 達夫; 加藤 幸雄 |
| 发表日期 | 1996-12-17 |
| 专利号 | JP1996335749A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 逆バイアス電圧印加時のキャリヤ数変動によるスペクトル線幅の変化がなく、しかも分離領域での発熱もなく、さらには大きな周波数変調効率を実現可能な半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 DBRレーザ素子において、受動導波路領域3およびこれに連なるブラッグ反射鏡領域4の導波路を、活性領域1で発光した光に対して吸収が生じないバンドギャップの結晶組成にて形成するとともに、活性領域1と受動導波路領域3との間に所定の長さの分離領域2を形成し、さらに受動導波路領域3およびブラッグ反射鏡領域4の上部に高抵抗層7を形成した構成とする。 |
| 公开日期 | 1996-12-17 |
| 申请日期 | 1995-06-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国井 達夫,加藤 幸雄. 半導体レーザ素子. JP1996335749A. 1996-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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