Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | WADA HIROSHI; HORIKAWA HIDEAKI; MATSUI YASUHIRO |
| 发表日期 | 1991-05-22 |
| 专利号 | JP1991119780A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | PURPOSE:To narrow the stripe width of an active layer and reduce a threshold current value by forming a current constriction layer provided on both ends of an active layer with mixed crystal of ZnSeTe with a specific composition which has lattice matching with an InP substrate. CONSTITUTION:A current constriction layer 28 installed on both ends of an active layer 14 is provided on an InP substrate 10. A layer 28 is formed by using ZnSexTe1-x (where 0 |
| 公开日期 | 1991-05-22 |
| 申请日期 | 1989-10-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74010]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WADA HIROSHI,HORIKAWA HIDEAKI,MATSUI YASUHIRO. Semiconductor laser. JP1991119780A. 1991-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。