発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大川 和宏; 高橋 康仁; 成沢 忠; 三露 恒男 |
| 发表日期 | 1994-10-28 |
| 专利号 | JP1994302859A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 p型GaX In1-X P薄膜(ただし、Xは0.40≦X≦0.55)、およびp型AlY In1-Y P薄膜(ただし、Yは0.40≦Y≦0.55)を順次積層したp型GaAs基板上に、II-VI 族化合物半導体からなるpn接合構造またはp-i-n接合を有することにより、低い電圧で動作するレーザ素子または発光ダイオード素子を提供する。 【構成】 II-VI 族化合物半導体からなるpn接合構造またはp-i-n接合より構成される発光素子を、p型GaAs基板1上に、p型GaInP薄膜2、p型AlInP薄膜3、p型ZnSeTe薄膜、及びp型ZnSe薄膜4を順次積層した構造の上にII-VI 族化合物半導体からなるpn接合構造またはp-i-n接合より構成される発光素子(8〜12)を形成する。これにより価電子帯の障壁を最大0.3eVに小さくすることができる。 |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 申请日期 | 1993-04-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74013]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大川 和宏,高橋 康仁,成沢 忠,等. 発光素子. JP1994302859A. 1994-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。