半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 廣中 美佐夫; 太田 洋一郎 |
| 发表日期 | 1995-04-21 |
| 专利号 | JP1995106692A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置のリーク電流を、寿命を損なうことなく減少させ、効率のよい半導体レーザ装置を得る。 【構成】 半導体レーザ装置の上クラッド層4がの電流経路となる基部4bとこの基部4bの両側に位置する脚部4aとによって構成され、この上クラッド層4の脚部4bの表面に不純物の拡散による反対導電型の電流阻止層4cを形成した。電流阻止層4cは上クラッド層4内における電流経路を規定し、レーザ発振に寄与しないリーク電流を減少させる。 |
| 公开日期 | 1995-04-21 |
| 申请日期 | 1993-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣中 美佐夫,太田 洋一郎. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1995106692A. 1995-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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