半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323794A |
| 著作权人 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高いキンクレベルと温度特性との両立を図った半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、元素としてIn、GaおよびAsを含む活性層、第二導電型第一クラッド層、第一電流ブロック層、第二導電型第二クラッド層、コンタクト層および電極を有し、前記第一電流ブロック層および前記第二導電型第二クラッド層が電流注入領域を形成する半導体レーザであって、横方向の実効屈折率差Δneffが、発光波長において2.5×10-3〜5.0×10-3であって、かつ、前記電流注入領域の幅Wが、5〜2.5μmであり、かつ、前記電極の底面の一部が前記コンタクト層の上面と接するように構成される電流狭窄構造を有することを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74037]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CHEMICALS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴. 半導体レーザ. JP2000323794A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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