半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 知生 |
| 发表日期 | 2003-04-25 |
| 专利号 | JP3421836B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 pn接合のシフトがなく、かつ高品質の発光層を有する半導体レーザの半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 発光層の下部ガイド層を成長する際のドーパントとしてSeもしくはSを用いる。また、発光層の上部ガイド層を成長する際のドーパントとしてSiを用いる構成とした。 |
| 公开日期 | 2003-06-30 |
| 申请日期 | 1998-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74042]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 知生. 半導体装置の製造方法. JP3421836B2. 2003-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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