半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 西口 晴美; 八木 哲哉; 吉田 保明 |
| 发表日期 | 2010-02-25 |
| 专利号 | JP2010045412A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置の上クラッド層にストライプ状の凸部を支障なく形成することができ、かつ上クラッド層側への光分布の広がりを抑制ないし防止することができる手段を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置においては、n-GaAs基板1の上に、順に、n-AlGaInPクラッド層2と、AlGaInP/GaInPMQW活性層3と、p-AlGaInP第1クラッド層4と、単層のp-AlxGa1-xAs-ESL5と、ストライプ状の凸部6を備えたp-AlGaInP第2クラッド層7と、p-GaAsコンタクト層8とが積層されている。p-AlGaInP第2クラッド層7のストライプ状の凸部6以外の部分は、絶縁膜9によって覆われている。p-AlxGa1-xAs-ESL5の屈折率は各クラッド層2、4、7の屈折率とほぼ等しくなっている。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-25 |
| 申请日期 | 2009-11-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西口 晴美,八木 哲哉,吉田 保明. 半導体レーザ装置. JP2010045412A. 2010-02-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。