光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之 |
| 发表日期 | 2000-09-29 |
| 专利号 | JP2000269587A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流-光出力特性のバラツキが小さく、かつ所望の放射角が得られる光半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板10と、基板上の第1の領域に形成され、ストライプ状に複数形成された第1の層12bと、少なくとも第1の層の間に形成された第1の層より屈折率の低い第2の層14とを有する回折格子と、第1の領域と異なる第2の領域の基板上に形成され、回折格子と光学的に結合する第1の導波路層12aと、少なくとも回折格子上に形成された活性層18とを有し、活性層で発生するレーザ光を、スポットサイズを変換して第1の導波路層の端面から出射する。 |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 申请日期 | 1999-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之. 光半導体装置及びその製造方法. JP2000269587A. 2000-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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