半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 萬濃 正也; 古川 秀利 |
| 发表日期 | 2007-03-15 |
| 专利号 | JP2007067305A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流注入経路の不安定性を抑制し、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することを目的とする。 【解決手段】 電流ブロック層を複数層構造とし、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404に隣接する電流ブロック層をエッチングストップ層405またはp型クラッド層404より大きいバンドギャップを有する材料で構成することにより、エッチングストップ層405またはp型クラッド層404と、電流ブロック層とが接合する近傍の価電子帯においてスパイクの発生が抑えられるため、ホールが導波領域の外側に漏洩しても、電流注入経路の変動を抑え、動作電流の増大や拡がり角のバラツキなどレーザ特性悪化を抑制することができる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2007-03-15 |
| 申请日期 | 2005-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74054]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,萬濃 正也,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2007067305A. 2007-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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