半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 遠藤 康行; 今泉 昌之; 吹田 宗義; 大塚 健一; 井須 俊郎 |
| 发表日期 | 1996-07-23 |
| 专利号 | JP1996191170A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】動作電圧を低くして熱発生を抑え、また、消費電力が小さく長寿命の半導体レーザを提供する。 【構成】半導体レーザにおいて、p型半導体基板(12)上に形成された、少なくともp型ZnaMg1-aSbSe1-b(0≦a、b≦1)クラッド層(14)およびn型クラッド層(16)、クラッド層の間に位置する活性層(15)ならびにp型およびn型電極(11,17)を有する半導体レーザにおいて、p型半導体基板とp型クラッド層との間に、基板と格子整合し、かつ、価電子帯頂上のエネルギー準位が基板のそれとクラッド層のそれとの間に位置するp型半導体バッファ層(13)を設ける。 |
| 公开日期 | 1996-07-23 |
| 申请日期 | 1995-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74068]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 遠藤 康行,今泉 昌之,吹田 宗義,等. 半導体レーザ. JP1996191170A. 1996-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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