面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮本 育昌 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223975A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易で再現性が高く、電極のコンタクト抵抗を低減し、発光効率の高い面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の第1の特徴は、基板上に、少なくとも、下部半導体多層反射膜と、活性層と、上部半導体多層反射膜とを順次積層し、発光領域上に選択的に上部多層反射膜からなる半導体柱状構造を形成し、この半導体柱状構造に近接して、上部多層反射膜にコンタクトするように第1の電極を形成するとともに、さらに、これに近接して、下部半導体多層反射膜が露呈するように開口を形成し、これに第2の電極を形成した面発光型半導体レーザ装置において、前記開口に露呈する下部半導体多層反射膜を含む光導波路を形成しない部分に、前記下部半導体多層反射膜と同一導電型の不純物を高濃度に含有する高濃度不純物領域を形成したことにある。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-02-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮本 育昌. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1998223975A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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