半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 谷村 純二; 田代 賀久; 阿部 真司; 笠井 信之; 西口 晴美; 大倉 裕二; 八木 哲哉 |
| 发表日期 | 2003-03-07 |
| 专利号 | JP2003069155A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 任意の層構造を有し、かつ上クラッド層の厚さが500nm以下の半導体装置においても、結晶欠陥の発生が抑制でき、かつ量子井戸層の無秩序化が可能となる製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に第1の半導体層2を設ける工程、第1の半導体層2上に量子井戸層180を設ける工程、量子井戸層180上に、合計膜厚が500nm以下の第2の半導体層6を設ける工程、第2の半導体層6上にSiO膜7を設ける工程、少なくとも第2の半導体層6から量子井戸層180までの領域のSiピーク濃度値が1×1019cm-3以下となるように、上記SiO膜7上よりSiイオン注入を行う工程、およびイオン注入工程の後に、熱アニールを行い、膜厚方向における量子井戸層180の1部または全部を無秩序化する工程を施す。 |
| 公开日期 | 2003-03-07 |
| 申请日期 | 2002-03-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谷村 純二,田代 賀久,阿部 真司,等. 半導体装置の製造方法. JP2003069155A. 2003-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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