半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 高岡 圭児; 平山 雄三 |
| 发表日期 | 1998-09-29 |
| 专利号 | JP1998261831A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】従来の半絶縁性埋め込み層を用いた高抵抗埋め込み構造の半導体レーザにおいて、p型クラッド層から半絶縁性埋め込み層への正孔注入を防ぐために挿入されたバリア層は、基板との格子不整合により厚さを大きくできず、十分バリア効果が得られないという課題があった。 【解決手段】半導体基板にGaAsを、活性層に1〜6μmで発光するGaInNAs系混晶を、半絶縁性埋め込み層にInGaAsP系混晶を、バリア層にInGaAlP系混晶をそれぞれ用いることにより、バリア層の厚さを50nm以上の十分な厚さにすることにより、p型クラッド層から半絶縁性埋め込み層への正孔注入を完全に抑制する。 |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高岡 圭児,平山 雄三. 半導体レーザ. JP1998261831A. 1998-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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