分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087838A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流-光出力特性および温度特性が良好で、かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レーザ素子を制御性·再現性良く製造する。 【解決手段】 平坦成長によって形成された活性層7と選択成長によって形成された周期的な活性層6とが積層された積層構造を有する分布帰還型半導体レーザ20。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74107]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司. 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法. JP1999087838A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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