半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1996-09-27 |
| 专利号 | JP1996250805A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】レーザ光の可干渉性が低くく、戻り光ノイズの発生が少ないマルチモードスペクトルの半導体レーザ素子を提供する。 【構成】第一導電型の半導体基板1の一主面上に第一導電型のAlx Ga1-x Asからなる第1クラッド層3、バッファ層2、Al yGa1-yAs (1>x> y>0)からる活性層4、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層5を有し、第2クラッド層5にはへき開面に垂直に2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層8第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層9が順次積層されてなる半導体レーザ素子において、電流阻止層8の第3クラッド層9を挟んでいる側面の形状は電流阻止層8のキャップ層6と接する側が突出している階段状であり、2つの二酸化ケイ素層のエッチングレートの差を利用した階段状マスク71、72を用いて製造する。 |
| 公开日期 | 1996-09-27 |
| 申请日期 | 1995-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74115]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1996250805A. 1996-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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