半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 渡邊 賢司; 高森 毅 |
| 发表日期 | 1993-08-13 |
| 专利号 | JP1993206566A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaAs(311)A基板上に成長中での拡散係数の小さいSiのみをドーパントとして用い、SiがAs圧の変化により、p型にもn型にもなるということを利用して最適なドーピング量及びプロファイルを持つ半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体レーザ素子の製造方法において、分子線エピタキシャル成長法において、GaAs(311)A面基板を用い、成長中での拡散係数の小さいSiをp及びn型のドーパントとして用い、As4 分子とIII 族原子フラックス比を制御するとともに、Siの極性を制御し、最適なドーピング量及びプロファイルを得る。 |
| 公开日期 | 1993-08-13 |
| 申请日期 | 1991-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74117]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,渡邊 賢司,高森 毅. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1993206566A. 1993-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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