光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 信夫; 平山 雄三; 小野村 正明 |
| 发表日期 | 1993-02-05 |
| 专利号 | JP1993029716A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | (修正有)
【目的】 活性層への注入効率を高めることができ、低しきい値でかつ高速特性の優れた多重量子井戸構造の半導体レーザを提供すること。
【構成】 Inx Ga1-x As(017cm-3以下に設定し、第2のp型クラッド層37のアクセプタ濃度を1×1018cm-3以上に設定し、活性層32の井戸層をInx Ga1-x As(0.53 |
| 公开日期 | 1993-02-05 |
| 申请日期 | 1991-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74133]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 信夫,平山 雄三,小野村 正明. 光半導体素子. JP1993029716A. 1993-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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