光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 菅 博文; 内藤 寿夫; 伊藤 之弘; 松井 謙; 宮島 博文; 牧野 貴光 |
| 发表日期 | 1994-05-31 |
| 专利号 | JP1994152057A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、レーザ光の光強度が大きく、製造が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 突起部上面の活性層(13a)に電流が注入され光が発生すると、この光は突起部上面の活性層(13a)を突き抜けて、第2のクラッド層(14)を透過して端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面の活性層(13a)と第2のクラッド層(14)で往復動作して、両側の第2のクラッド層(14)の端面をファブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共振が起こる。注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、レーザ光が外部に出射される。 |
| 公开日期 | 1994-05-31 |
| 申请日期 | 1992-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74137]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 博文,内藤 寿夫,伊藤 之弘,等. 光半導体装置. JP1994152057A. 1994-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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