半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 黒 田 文 彦; 大 橋 真 |
| 发表日期 | 2003-12-05 |
| 专利号 | JP3499749B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡略な構成で確実に電流を狭窄し、低しきい値化や実屈折率モード制御を可能とする発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 アルミニウムを含んだ選択酸化層自体、およびそれに隣接して形成されたアルミニウムを含む層がともに酸化される構造とすることにより、電流ブロック領域となる選択酸化部のストレスを緩和し、さらに実効的な屈折率差を大きくし、実屈折率ガイドの効果を大きくすることができる。 |
| 公开日期 | 2004-02-23 |
| 申请日期 | 1998-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74147]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒 田 文 彦,大 橋 真. 半導体発光素子及びその製造方法. JP3499749B2. 2003-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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