半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 国井 達夫 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP2000049411A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 狭線幅·高変調効率·高周波数応答の半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 共振器100には,活性導波路140aと受動導波路140bとが形成されている。受動導波路140bには,ブラッグ回折格子170bが形成されており,活性導波路140aで生じた光Pを選択的に反射して,レーザ光Lを発振する。かかるレーザ光Lは,第2電極160bを介して印加される電力による受動導波路140b内の屈折率変化を利用して周波数変調(FM)される。さらに,レーザ光Lは,第2電極160bと重ならないように素子表面100Cに設置された抵抗加熱膜180bを介して,FM効率が調整される。 |
| 公开日期 | 2000-02-18 |
| 申请日期 | 1998-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74186]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国井 達夫. 半導体レーザ素子. JP2000049411A. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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