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光半導体装置

文献类型:专利

作者菅 博文; 内藤 寿夫; 伊藤 之弘; 松井 謙; 宮島 博文; 牧野 貴光
发表日期1994-05-31
专利号JP1994152058A
著作权人浜松ホトニクス株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【目的】 本発明は、レーザ光の光強度が大きく、製造が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 突起部の上面の活性層(13a)に電流が注入されると光が発生し、この光の一部は突起部の上面の活性層(13a)を突き抜けて、活性層(13a)と第2のクラッド層(14)でレーザ共振を起こす。また、突起部の上面の活性層(13a)で発生した光の一部は側面の活性層(13b)に流れ込み、活性層(13c)と第1のクラッド層(12)でレーザ共振を起こす。そして、注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、2本のレーザ光が端面から外部に出射される。
公开日期1994-05-31
申请日期1992-11-11
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74190]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位浜松ホトニクス株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
菅 博文,内藤 寿夫,伊藤 之弘,等. 光半導体装置. JP1994152058A. 1994-05-31.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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